L'operació representa una inversió total de 398 milions d'euros
BARCELONA, 17 març (EUROPA PRESS) -
El Govern ha donat llum verda aquest dimarts a la signatura del conveni entre la Generalitat i l'Administració General de l'Estat per executar el projecte Innofab, el primer centre a Catalunya de recerca i desenvolupament especialitzat en la tecnologia avançada i prototipatge de xips basats en semiconductors avançats.
L'operació per a la nova infraestructura, que se situarà al Parc de l'Alba, a Cerdanyola del Vallès (Barcelona), representa una inversió de 398 milions d'euros que es cofinançaran amb aportacions de la Generalitat (193 milions), l'Estat (60 milions) i un préstec complementari de 145 milions, informa l'executiu català en un comunicat posterior al Consell Executiu d'aquest dimarts.
L'objectiu del conveni és establir el marc de cooperació entre totes dues administracions i l'execució del projecte es durà a terme a través de la Fundació Innofab, entitat sense ànim de lucre adscrita al sector públic de la Generalitat, que serà la responsable de gestionar les actuacions necessàries.
Per la seva banda, l'Administració General de l'Estat, a través de la Societat Espanyola per a la Transformació Tecnològica (SETT), contribuirà a la construcció i dotació de l'edifici que acollirà el centre.
El conveni, amb una vigència inicial de 4 anys prorrogables amb 4 anys més, preveu la creació d'una comissió de seguiment, formada per representants de totes dues administracions, que vetllarà pel correcte desenvolupament del projecte, i que la presidència recaigui en una de les persones designades en representació de la Generalitat.
REDACTAT PEL GRUP IDP
Al desembre, el Govern va adjudicar la redacció del projecte d'enginyeria bàsic per a la construcció de la infraestructura d'Innofab al grup IDP, per un import de 2,6 milions euros.
La proposta, que s'haurà de presentar a l'abril, serà el punt de partida per elaborar el projecte executiu de les obres i el projecte constructiu posterior, que s'adjudicarà aquest any.
El centre comptarà amb tres edificis: el FAB (10.600 m2 distribuïts en quatre plantes), un altre d'oficines i laboratoris (7.300 m2) i un auxiliar de serveis (4.000 m2), sumant una superfície construïda de prop de 22.000 m2.
També disposarà d'una sala blanca de més de 2.000 m2 des de la qual es podran escalar processos de fabricació de xips en l'àmbit industrial.
INNOVACIÓ EN SEMICONDUCTORS
Amb aquesta operació, la Generalitat pretén que l'Innofab, juntament amb el Sincrotró Alba i el Barcelona Supercomputing Center (BSC), situïn Catalunya "entre les 50 regions més innovadores en semiconductors de la Unió Europea", atraient talent, emprenedors i start-ups que treballin en aquest camp.
Juntament amb Innofab, el pla inclou dos projectes més: el DARE, liderat pel BSC, que desenvoluparà tecnologia basada en l'arquitectura oberta RISC-V per a aplicacions d'alta computació i intel·ligència artificial; i el PIXEurope, coordinat per l'Institut de Ciències Fotòniques (ICFO), per "consolidar el lideratge europeu" en circuits fotònics integrats.
